具有输入电阻高（100000000～1000000000Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点
导通时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。
工作时，栅源之间不加电压，同增强型MOS管不同，漏源之间存在导电沟道，因此只要在漏源之间加正向电压，就会产生漏极电流。并且，栅源之间加正向电压时
电压是影响可控硅开关频率的主要因素之一。可控硅必须遵循规定的峰值电压和平均电压，以保证正常工作和安全运行。较高的电压会导致可控硅的散热增加，从而降低其开关频率
